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中国科学院合肥物质科学研究院研究团队在稳态强磁场装置(SHMFF)电输运和磁测量系统的支持下,发现了一种新型超导材料(InSe2)xNbSe2,具有独特的晶格结构。该材料的超导转变温度达到11.6 K,是常压下转变温度最高的过渡金属硫化物超导体。
研究结果发表在《美国化学会杂志》上。
TMD材料因其在催化、储能和集成电路等领域的广泛应用而受到广泛关注。然而,TMD超导体相对较低的超导转变温度限制了其潜在用途。
在这项研究中,科学家成功制备了一种化学式为(InSe2)xNbSe2的新型超导材料。与将孤立的原子插入低维材料的范德华能隙的常规条件不同,在(InSe2)xNbSe2中,发现插入的铟原子形成InSe2键合链。
“这种材料在所有过渡金属二硫属化物(TMD)超导体中具有非常高的转变温度,”领导该团队的张长进教授说,“并且它表现出令人印象深刻的临界电流密度。”
(InSe 2)0.12NbSe2样品的超导转变温度在环境压力下可高达11.6 K,比原始NbSe2高60% 。
此外,(InSe2)xNbSe2超导体表现出8x105A/cm2的大临界电流密度,这也是所有TMD超导体中最高的。其临界电流密度可与铜酸盐、铁基化合物等高温超导体相媲美,展现出良好的应用前景。
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